RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲;

　　CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲;

　　tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟;

　　CL： CAS Latency，CAS潜伏期(又称读取潜伏期)，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间段;

　　RL： Read Latency,读取潜伏期;

　　tAC： Access Time from CLK,时钟触发后的访问时间，从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始到数据传到I/O总线上止的这段时间;

　　tWR： Write Recovery Time,写回，保证数据的可靠写入而留出足够的写入/校正时间，被用来表明对同一个bank的最后有效操作到预充电命令之间的时间量;

　　BL： Burst Lengths,突发长度，突发是指在同一行中相邻的储存单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到储存单元(列)的数量就是突发长度(SDRAM)，在DDR SDRAM中指连续传输的周期数;

　　Precharge：L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作;

　　tRP： Precharge command period，预充电有效周期，在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行;

　　AL： Additive Latency，附加潜伏期(DDR2);

　　WL： Write Latency，写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期;

　　tRAS: Active to Precharge Command，行有效至预充电命令间隔周期;

　　tDQSS： WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS，DQS相对于写入命令的延迟时间;

　　逻辑Bank

　　SDRAM的内部是一个储存阵列，要想准确地找到所需的储存单元就先指定一个(row),再指定一个列(Column),这就是内存芯片寻址的基本原理。

　　芯片位宽

　　SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个储存单元的容量就是芯片的位宽(也是L-Bank的位宽);

　　储存单元数量=行数*列数(得到一个L-Bank的储存单元数量)*L-Bank的数量也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中储存单元的总数，单位是兆(英文简写M，精确值是1048576)，W代表每个储存单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽，单位是bit;

　　DDR SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽(芯片I/O口位宽)的一倍;

　　DDR2 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的四倍;

　　DDR3 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍;

　　DDR4 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍。